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    半导体物理学-2022秋季
    课程类型：选修课
    发布时间：2024-03-12 09:10:18
    主讲教师：
    课程来源：
    建议学分：0.00分
    课程编码：mk002128
    课程介绍
    课程目录
    教师团队
    {1}--第一单元
    [1.1]--1.1半导体的晶格结构和结合性质 （12分钟）
    [1.2]--1.2原子的能级和晶体的能带 （12分钟）
    {2}--第二单元
    {3}--第三单元
    [3.4.1]--3.4-1杂质半导体的费米能级 （14分钟）
    [3.4.2]--3.4-2杂质半导体的载流子浓度 （14分钟）
    [3.5]--3.5一般情况下载流子的统计分布 （10分钟）
    [3.6]--3.6 简并半导体 （12分钟）
    {4}--第四单元
    [4.1]--4.1载流子的漂移速度和迁移率 （7分钟）
    [5.3.3]--5.3-3表面复合和陷阱效应 （7分钟）
    {5}--第五单元
    [5.4]--5.4载流子的扩散运动和爱因斯坦关系 （11分钟）
    [5.5]--5.5连续性方程 （9分钟）
    {6}--第六单元
    [6.1.1]--6.1-1pn结的形成及空间电荷区 （10分钟）
    [6.1.2]--6.1-2pn结能带图及载流子分布 （10分钟）
    [6.1.3]--6.1-3非平衡状态下pn结能带图及电流分布 （10分钟）
    [6.2.1]--6.2-1理想pn结电流电压特性 （12分钟）
    [6.2.2]--6.2-2影响pn结电流电压特性的各种因素 （17分钟）
    [6.3]--6.3pn结电容 （16分钟）
    [6.4]--6.4pn结击穿 （13分钟）
    [6.5]--6.5pn结隧道效应 （11分钟）
    {7}--第七单元
    [7.1]--7.1金属和半导体的功函数 （12分钟）
    [7.2]--7.2金属和半导体的接触电势差 （13分钟）
    [7.3]--7.3表面态对接触势垒的影响 （9分钟）
    [7.4]--7.4金属半导体整流和非整流接触 （11分钟）
    {8}--第八单元
    [8.1]--8.1表面态 （13分钟）
    [8.2.1]--8.2-1空间电荷区类型及其电场电势电容 （11分钟）
    [8.2.2]--8.2-2空间电荷层性质 （15分钟）
    [8.3]--8.3MIS结构的C-V特性 （16分钟）
    [8.4]--8.4硅-二氧化硅系统的性质 （13分钟）
    {9}--第十单元
    {10}--第十一单元
    {11}--第十二单元
    {12}--第十三单元
    {13}--第十四单元
    {14}--第十五单元
    {15}--第十六单元
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